Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in harsh environments, high-temperature and high gamma-ray radiation

QC 20161128
Characteristics of 4H-SiC nMOSFETs with arsenic-doped S/D and NbNi silicide contacts in harsh environments of high-temperature up to 450°C, and high gamma-ray radiation up to over 100 Mrad, were investigated. At high temperature, field effect mobility increased as proportional to T3/2, and threshold voltage was shifted with temperature coefficients of -4.3 mV/K and -2.6 mV/K for oxide thicknesses of 10 nm and 20 nm, respectively. After Co60 gamma-ray exposure of 113 Mrad, the field effect mobility was varied within 8% for oxide thickness of 10 nm, however for 20 nm oxide thickness, this variation was 26%. The threshold voltage shifts were within 6%.

Nagatsuma, H. (författare)
de Silva, M. (författare)
Ishikawa, S. (författare)
Maeda, T. (författare)
Sezaki, H. (författare)
Kikkawa, T. (författare)
Makino, T. (författare)
Ohshima, T. (författare)
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Ingår i:16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015: Trans Tech Publications Ltd, s. 864-8679783035710427

Av författaren/redakt...: Kuroki, S. I.; Nagatsuma, H.; de Silva, M.; Ishikawa, S.; Maeda, T.; Sezaki, H.; visa fler...; Kikkawa, T.; Makino, T.; Ohshima, T.; Östling, Mikael; Zetterling, Carl ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.