Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-19568" >
A low-complexity 62...
A low-complexity 62-GHz f(T) SiGe heterojunction bipolar transistor process using differential epitaxy and in situ phosphorus-doped poly-Si emitter at very low thermal budget
-
Grahn, J. V. (författare)
-
Fosshaug, H. (författare)
-
Jargelius, M. (författare)
-
visa fler...
-
Jonsson, P. (författare)
-
Linder, M. (författare)
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Mohadjeri, B. (författare)
-
Pejnefors, J. (författare)
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Sanden, M. (författare)
-
- Wang, Yong-Bin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Landgren, Gunnar (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 44:3, s. 549-554
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A low-complexity SiGe heterojunction bipolar transistor process based on differential epitaxy and in situ phosphorus doped polysilicon emitter technology is described. Silane-based chemical vapor deposition at reduced pressure was used for low-temperature SiGe epitaxy. Following SiGe epitaxy, the process temperature budget was kept very low with 900 degrees C for 10 s as the highest temperature step. A very high current gain of almost 2000 and cut off frequency of 62 GHz were achieved for a uniform 12% Ge profile. The breakdown voltage BVCEO and forward Early voltage were equal to 2.9 and 6.5 V, respectively.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Grahn, J. V.
-
Fosshaug, H.
-
Jargelius, M.
-
Jonsson, P.
-
Linder, M.
-
Malm, B. Gunnar
-
visa fler...
-
Mohadjeri, B.
-
Pejnefors, J.
-
Radamson, Henry ...
-
Sanden, M.
-
Wang, Yong-Bin
-
Landgren, Gunnar
-
Östling, Mikael
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan