Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20069" >
GaAs/AlGaAs buried-...
GaAs/AlGaAs buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser with semi-insulating GalnP : Fe regrowth
-
Barrios, C. A. (författare)
-
Messmer, E. R. (författare)
-
Risberg, A. (författare)
-
visa fler...
-
Carlsson, C. (författare)
-
Halonen, J. (författare)
-
Ghisoni, M. (författare)
-
Larsson, A. (författare)
-
- Lourdudoss, Sebastian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Electronics Letters. - 0013-5194 .- 1350-911X. ; 36:18, s. 1542-1544
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The authors report the first results of a GaAs/AlGaAs buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with semi-insulating Ga0.51In0.49P:Fe (SI-GaInP:Fe) as the burying layer. Regrowth of SI-GaInP:Fe around 15 mu m diameter and 8 mu m tall VCSEL mesas was carried out by hydride vapour phase epitaxy (HVPE). Under room temperature continuous wave (CW) operation. the device exhibited a threshold current of 3.5mA, a differential quantum efficency of 33% and a light output power of 4.2mW. CW operation at temperatures up to 97 degrees C is also demonstrated.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas