Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20137" >
High-dose Al-implan...
High-dose Al-implanted 4H-SiC p(+)-n-n(+) junctions
-
Kalinina, E. (författare)
-
Kholujanov, G. (författare)
-
Solov'ev, V. (författare)
-
visa fler...
-
Strel'chuk, A. (författare)
-
Zubrilov, A. (författare)
-
Kossov, V. (författare)
-
Yafaev, R. (författare)
-
Kovarski, A. P. (författare)
-
- Hallén, Anders. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Konstantinov, A. (författare)
-
Karlsson, S. (författare)
-
Adas, C. (författare)
-
Rendakova, S. (författare)
-
Dmitriev, V. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 77:19, s. 3051-3053
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- p(+)-n-n(+) junctions were fabricated by ion implantation with Al of low-doped epitaxial n layers of 4H-SiC grown by chemical vapor deposition on commercial 4H-SiC wafers both with and without reduction of micropipe densities. It was shown that, using high levels of Al ion doping (5x10(16) cm(-2)) in combination with rapid thermal anneal, single-crystal p(+)-4H-SiC layers can be obtained. These layers do not form barriers at the contact metal-semiconductor interface and do not introduce additional resistance into structures with p(+)-n junctions. This significantly reduces the forward voltage drop across the structure in a wide range of current densities up to 10(4) A cm(-2).
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Kalinina, E.
-
Kholujanov, G.
-
Solov'ev, V.
-
Strel'chuk, A.
-
Zubrilov, A.
-
Kossov, V.
-
visa fler...
-
Yafaev, R.
-
Kovarski, A. P.
-
Hallén, Anders.
-
Konstantinov, A.
-
Karlsson, S.
-
Adas, C.
-
Rendakova, S.
-
Dmitriev, V.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan