onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20848"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-20848" > Electrical resistiv...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nonmetal transition in cubic GaN, InN and AlN systems
-
- Fernandez, J. R. L. (författare)
- Instituto De Física, Universidade De São Paulo, CP66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil
-
- Araujo, C. M. (författare)
- Moysés Araújo, C., Instituto De Física, Universidade Federal Da Bahia, Campus Universitário De Ondina, 40210-340 Salvador, Bahia, Brazil
-
- da Silva, A. F. (författare)
- Ferreira Da Silva, A., Instituto De Física, Universidade Federal Da Bahia, Campus Universitário De Ondina, 40210-340 Salvador, Bahia, Brazil
- visa fler...
- Leite, J. R. (författare)
- visa färre...
- Instituto De Física, Universidade De São Paulo, CP66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil Moysés Araújo, C, Instituto De Física, Universidade Federal Da Bahia, Campus Universitário De Ondina, 40210-340 Salvador, Bahia, Brazil (creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
- Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 231:3, s. 420-427
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The critical impurity concentration N-c of the metal-nonmetal (MNM) transition for the cubic GaN, InN and AIN systems. is calculated using the following two different criteria: vanishing of the donor binding energy and the crossing point between the energies in the metallic and insulating phases. A dielectric function model with a Lorentz-Lorenz correction is used for the insulating phase. The InN presents an order of magnitude increase in N-c as compared to the other two systems. The electrical resistivity of the Si-donor system GaN is investigated theoretically and experimentally from room temperature down to 10K. It presents a metallic character above a certain high impurity concentration identified as N-c. The samples were grown by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (0 0 1) substrate. The model calculation is carried out from a recently proposed generalized Drude approach (GDA) presenting a very good estimation for the metallic region. The band-gap shift (BGS) of Si-doped GaN has also been investigated above the MNM transition where this shift is observed. Theoretical and experimental results have a rough agreement in a range of impurity concentration of interest.
Nyckelord
- characterization
- doping
- molecular beam epitaxy
- nitrides
- semiconductors
- si-p,bi
- devices
- donor
- gaas
- TECHNOLOGY
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Journal of Crystal Growth (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Fernandez, J. R. ...
- Araujo, C. M.
- da Silva, A. F.
- Leite, J. R.
- Sernelius, Bo
- Tabata, A.
- visa fler...
- Abramof, E.
- Chitta, V. A.
- Persson, Clas
- Ahuja, R.
- Pepe, I.
- As, D. J.
- Frey, T.
- Schikora, D.
- Lischka, K.
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- Journal of Cryst ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
