Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-213696" >
High Temperature Bi...
High Temperature Bipolar Master-Slave Comparator and Frequency Divider in 4H-SiC Technology
-
- Hedayati, Raheleh, 1984- (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),EKT
-
- Lanni, Luigia (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
- Shakir, Muhammad (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Salemi, Arash (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Switzerland : Trans Tech Publications Inc. 2017
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - Switzerland : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 897, s. 681-684
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper demonstrates a fully integrated master-slave emitter-coupled logic (ECL)comparator and a frequency divider implemented in 4H-SiC bipolar technology. The comparator consists of two latch stages, two level shifters and an output buffer stage. The circuits have been tested up to 500 °C. The single ended output swing of the comparator is -7.73 V at 25 °C and-7.63 V at 500 °C with a -15 V supply voltage. The comparator consumes 585 mW at 25 °C. The frequency divider consisting of two latches shows a relatively constant output voltage swing over the wide temperature range. The output voltage swing is 7.62 V at 25 °C and 7.32 V at 500 °C.
Nyckelord
- Silicon carbide (SiC)
- bipolar junction transistor (BJT)
- high temperature integrated circuit (IC)
- master-slave latched comparator
- frequency divider
- bipolar comparators
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas