Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21830" >
Be-doped low-temper...
Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches
-
Krotkus, A. (författare)
-
Bertulis, K. (författare)
-
Kaminska, M. (författare)
-
visa fler...
-
Korona, K. (författare)
-
Wolos, A. (författare)
-
Siegert, J. (författare)
-
- Marcinkevicius, Saulius (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Roux, J. F. (författare)
-
Coutaz, J. L. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institution of Engineering and Technology (IET), 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: IEE Proceedings - Optoelectronics. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 1350-2433 .- 1359-7078. ; 149:3, s. 111-115
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Structural, electrical and recombination properties of Be-doped low-temperature MBE grown (LTG) GaAs have been investigated by using a number of different experimental techniques. These properties were analysed with respect to the applications of LTG GaAs in ultrafast optoelectronic devices. It has been found that a moderate Be-doping improves the structural quality of the layers and does not affect their semi-insulating behaviour. Electron and hole capture cross-sections, critical parameters for the design of optoelectronic devices from LTG GaAs, equal to sigma(n) = 1.1 x 10(-13) and sigma(p) = 1.8 x 10(-15) cm(2) were also determined.
Nyckelord
- epitaxial gaas
- dynamics
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas