Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-22075" >
Growth of high freq...
Growth of high frequency SiGe heterojunction bipolar transistors structures
-
Radamson, H. H. (författare)
-
Mohadjeri, B. (författare)
-
Menon, C. (författare)
-
visa fler...
-
Bentzen, A. (författare)
-
Grahn, J. (författare)
-
- Landgren, Gunnar. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Physica Scripta. - 0031-8949 .- 1402-4896. ; T101, s. 45-48
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The growth of heterojuntion bipolar transistor structures using chemical vapor deposition has been investigated. Generation of defects in selectively or nonselectively grown collector layers using arsenic as the dopant has been studied. Minimizing the defect density in SiGe base layers by optimizing the growth rate has also been investigated in detail. High resolution reciprocal lattice mapping, atomic force microscopy and secondary ion mass spectrometry have been used as the main characterization tools.
Nyckelord
- chemical-vapor-deposition
- si1-xgex
- epitaxy
- layers
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas