Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-22120" >
Na0.5K0.5NbO3 thin ...
Na0.5K0.5NbO3 thin films for MFIS_FET type non-volatile memory applications
- Artikel/kapitelEngelska2002
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-22120
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-22120URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100525
-
Na0.5K0.5NbO3(NKN) thin films have been prepared on Pt80Ir20, SiO2/Si, and Ta2O5/Si substrates for ferroelectric non-volatile memory applications. Ferroelectric hysteresis loops for Au/NKN/Pt80Ir20 vertical capacitor yielded remnant polarization of 12 muC/cm(2) and coercive field similar to20 kV/cm. Significant flat-band voltage V-FB shifts with buffer layer thickness in Au/NKN/SiO2/Si structures have been attributed to the intermixing between Na and K alkali ions and SiO2 layer. On the other hand, Au/NKN/Ta2O5/Si structure exhibited wide memory window without significant V-FB deviations, low leakage currents, and rather long retention time at zero bias.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
Na0.5K0.5NbO3 (NKN) thin film
-
Au/NKN/Ta2O5/Si
-
MFIS_diode
-
ferroelectric non-volatile memory
-
pulsed-laser deposition
-
varactor
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Park, S. H.
(författare)
-
Moon, B. M.
(författare)
-
Sundqvist, J.
(författare)
-
Harsta, A.
(författare)
-
Grishin, Alexander M.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u179x9xt
(författare)
-
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Integrated Ferroelectrics49, s. 21-301058-45871607-8489
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas