The effect of C on emitter-base design for a single-polysilicon SiGe: C HBT with an IDP emitter

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-23210" > The effect of C on ...

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02715naa a2200397 4500
001		oai:DiVA.org:kth-23210
003		SwePub
008		100810s2004 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-232102 URI
024	7	a https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.0612 DOI
040		a (SwePub)kth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a art2 swepub-publicationtype
100	1	a Haralson, Eriku KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1bz5891
245	1 0	a The effect of C on emitter-base design for a single-polysilicon SiGe :b C HBT with an IDP emitter
264	1	b Elsevier BV,c 2004
338		a print2 rdacarrier
500		a QC 20100525 QC 20111019
520		a A differential epitaxy SiGe:C heterojunction bipolar junction transistor (HBT) design is reported and used to study the effect of carbon on junction formation as well as the effect of lateral design parameters on ac and dc performance. The device exhibits a high current gain (beta) of 1700 and a BVCEO of 1.8 V. The peak cutoff frequency (f(T)) and maximum oscillation frequency (f(MAX)) are 73 and 17 GHz, respectively. The effect of emitter overlap on f(T) was minimal, but it had a strong impact on dc performance. LOCOS opening size strongly impacted both ac and dc performance. In addition, the effect of carbon, base cap thickness, and rapid thermal anneal (RTA) temperature on the emitter-base (E-B) junction formation was studied.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653		a SiGe : C
653		a HBT
653		a IDP emitter
653		a carbon
700	1	a Suvar, Erdalu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1sxan4r
700	1	a Malm, B. Gunnaru KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u13lag9j
700	1	a Radamson, Henry H.u KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1g2cqgr
700	1	a Wang, Yong-Binu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1mxfvwt
700	1	a Östling, Mikaelu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1u0kle4
710	2	a KTHb Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 org
773	0	t Applied Surface Scienced : Elsevier BVg 224:1-4, s. 330-335q 224:1-4<330-335x 0169-4332x 1873-5584
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-23210
856	4 8	u https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.061

Hitta via bibliotek

Applied Surface Science (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Haralson, Erik; Suvar, Erdal; Malm, B. Gunnar; Radamson, Henry ...; Wang, Yong-Bin; Östling, Mikael

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...

Artiklar i publikationen: Applied Surface ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se