Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-23211" >
Characterization of...
Characterization of leakage current related to a selectively grown collector in SiGeC heterojunction bipolar transistor structure
-
- Suvar, Erdal (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Haralson, Erik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Wang, Yong-Bin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Grahn, Jan V. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Surface Science. - : Elsevier BV. - 0169-4332 .- 1873-5584. ; 224:1-4, s. 336-340
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Sources of base-collector and base-emitter leakage current in a SiGeC-based heterojunction bipolar transistor (HBT) with a selectively grown and chemical-mechanical polished (CMP) collector are discussed. Transmission electron microscopy and electrical measurement have been applied to investigate the leakage current. It has been demonstrated that the edge-located defects generated by selective epitaxy process are the origin of the junction leakage.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- SiGeC
- HBT
- bipolar
- selective epitaxial growth
- chemical-mechanical polishing
- leakage
- epitaxy
- si
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas