As- or P-doped Si layers grown by RPCVD for emitter application in SiGeCHBTs

QC 20100525 QC 20111031
A new module for the emitter formation in a bipolar transistor is presented. Arsenic- or phosphorus-doped polycrystalline silicon layer for the emitter formation is deposited in a reduced pressure chemical vapor deposition reactor using silane as the silicon source gas. Characteristics such as the carrier concentration, conductivity, surface morphology, and thermal stability of the polycrystalline-silicon layer as well as the influence this layer has on a SiGeC transistor structure during the drive-in step area studied. The active carrier concentration of the as-grown sample is strongly dependent on the deposition temperature, especially arsenic doped layers which exhibit more than one order of magnitude difference. However, the carrier concentration for the As- or P-doped layer were comparable to that of a standard in-situ doped poly-crystalline layer after a dopant activation at 925 degrees C for 10s.

Haralson, ErikKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1bz5891 (författare)
Hållstedt, JuliusKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u15ztfu4 (författare)
Radamson, Henry H.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1g2cqgr (författare)
Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Suvar, Erdal; Haralson, Erik; Hållstedt, Juliu ...; Radamson, Henry ...; Östling, Mikael

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.