Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-238393" >
Low temperature Ni-...
Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing
-
- Ekström, Mattias (författare)
- KTH,Elektronik
-
- Hou, Shuoben (författare)
- KTH,Elektronik
-
- Elahipanah, Hossein (författare)
- KTH,Elektronik
-
visa fler...
-
- Salemi, Arash (författare)
- KTH,Elektronik
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Elektronik
-
- Zetterling, Carl-Mikael, 1966- (författare)
- KTH,Elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017. - : Trans Tech Publications. - 9783035711455 ; , s. 389-392
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Most semiconductor devices require low-resistance ohmic contact to p-type doped regions. In this work, we present a semi-salicide process that forms low-resistance contacts (~10-4 Ω cm2) to epitaxially grown p-type (>5×1018 cm-3) 4H-SiC at temperatures as low as 600 °C using rapid thermal processing (RTP). The first step is to self-align the nickel silicide (Ni2Si) at 600 °C. The second step is to deposit aluminium on top of the silicide, pattern it and then perform a second annealing step in the range 500 °C to 700 °C.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
Nyckelord
- Ni-Al
- P-type ohmic contact
- Rapid thermal processing (RTP)
- Silicon carbide (4H-SiC)
- Transfer length method (TLM)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas