onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-238393"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-238393" > Low temperature Ni-...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Ekström, MattiasKTH,Elektronik (författare)
Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing
- Artikel/kapitelEngelska2018
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Trans Tech Publications,2018
- printrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-238393
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-238393URI
- https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.389DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- QC 20181108
- Most semiconductor devices require low-resistance ohmic contact to p-type doped regions. In this work, we present a semi-salicide process that forms low-resistance contacts (~10-4 Ω cm2) to epitaxially grown p-type (>5×1018 cm-3) 4H-SiC at temperatures as low as 600 °C using rapid thermal processing (RTP). The first step is to self-align the nickel silicide (Ni2Si) at 600 °C. The second step is to deposit aluminium on top of the silicide, pattern it and then perform a second annealing step in the range 500 °C to 700 °C.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Annan teknik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Other Engineering and Technologies hsv//eng
- Ni-Al
- P-type ohmic contact
- Rapid thermal processing (RTP)
- Silicon carbide (4H-SiC)
- Transfer length method (TLM)
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Hou, ShuobenKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1nvrr9i (författare)
- Elahipanah, HosseinKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1ve1t1u (författare)
- Salemi, ArashKTH,Elektronik(Swepub:kth)u14aqahn (författare)
- Östling, MikaelKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
- Zetterling, Carl-Mikael,1966-KTH,Elektronik(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
- KTHElektronik (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017: Trans Tech Publications, s. 389-3929783035711455
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Ekström, Mattias
- Hou, Shuoben
- Elahipanah, Hoss ...
- Salemi, Arash
- Östling, Mikael
- Zetterling, Carl ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Annan teknik
- Artiklar i publikationen
- International Co ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
