Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-29929" >
Dopant incorporatio...
Dopant incorporation in thin strained Si layers implanted with Sb
-
- Azarov, Alexander (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
- Zamani, Atieh (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa fler...
-
Vines, L. (författare)
-
Kuznetsov, A. Yu. (författare)
-
- Hallén, Anders (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Thin Solid Films. - : Elsevier BV. - 0040-6090 .- 1879-2731. ; 518:9, s. 2474-2477
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The effect of tensile strain on Sb incorporation in Si and its activation during post-implantation annealing has been Studied by a combination of Rutherford backscattering/channeling spectrometry, secondary ion mass spectrometry. X-ray diffraction and 4-point probe measurements Our results show that, for Sb implanted samples a tensile strain has an important role for dopant behavior Particularly, increasing the tensile strain in the Si layer from 0 to 0 8% leads to an enhancement of the fraction of incorporated Sb atoms in substitutional sites already during implantation from similar to 7 to 30% Furthermore, 0 8% strain in antimony doped Si gives similar to 20% reduction in the sheet resistance in comparison to the unstrained sample.
Nyckelord
- Strained Si
- Ion implantation
- Sb incorporation
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas