Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-312303" >
Studies on Schottky...
Studies on Schottky Barrier Diodes Fabricated using Single-Crystal Wafers of β-Ga2O3 Grown by the Optical Floating Zone Technique
-
Dhanabalan, D. (författare)
-
Ananthu, V. (författare)
-
Akshita, K. V. (författare)
-
visa fler...
-
Bhattacharya, S. (författare)
-
Varadarajan, E. (författare)
-
Ganesamoorthy, S. (författare)
-
Moorthy Babu, S. (författare)
-
Natarajan, V. (författare)
-
Verma, S. (författare)
-
Srivatsava, M. (författare)
-
- Lourdudoss, Sebastian, 1953- (författare)
- KTH,Fotonik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2021-10-13
- 2022
- Engelska.
-
Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research. - : Wiley. - 0370-1972 .- 1521-3951. ; 259:2
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- β-Ga2O3 is one of the most promising wide-bandgap materials for optoelectronic applications as well as a conducting substrate for GaN-based device technologies. Single crystals of undoped β-Ga2O3 are grown by the optical floating zone technique utilizing compressed dry air as growth atmosphere. The properties of β-Ga2O3 are highly anisotropic. Optimization of the processing recipe for wafers along different orientations suitable for device development is conducted. Structural, optical, and electrical properties of the wafers are determined. Efforts are made to fabricate Schottky diodes based on Pt/Ti/Au–β-Ga2O3–Ti/Au device structures. Devices are fabricated on (−201) cut wafers. The device characteristics are discussed in detail.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- electrical properties
- optical floating zone technique
- Schottky diodes
- structural properties
- β-Ga2O3 single crystals
- Diodes
- Fabrication
- Gallium nitride
- III-V semiconductors
- Optical properties
- Schottky barrier diodes
- Wide band gap semiconductors
- Conducting substrates
- Floating zone technique
- GaN-based devices
- Optical floating zones
- Optoelectronic applications
- Single crystal wafers
- Wide band-gap material
- Β-ga2O3 single crystal
- Single crystals
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Dhanabalan, D.
-
Ananthu, V.
-
Akshita, K. V.
-
Bhattacharya, S.
-
Varadarajan, E.
-
Ganesamoorthy, S ...
-
visa fler...
-
Moorthy Babu, S.
-
Natarajan, V.
-
Verma, S.
-
Srivatsava, M.
-
Lourdudoss, Seba ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
Physica status s ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan