Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-37882" >
Strong 1.3-1.6 mu m...
Strong 1.3-1.6 mu m light emission from metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs
-
Tångring, I. (författare)
-
Wang, S. M. (författare)
-
Gu, Q. F. (författare)
-
visa fler...
-
Wei, Y. Q. (författare)
-
Sadeghi, M. (författare)
-
Larsson, A. (författare)
-
Zhao, Q. X. (författare)
-
- Akram, M. Nadeem (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Berggren, Jesper (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 86:17, s. 171902-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We demonstrate strong 1.3-1.6 mu m photoluminescence (PL) from InGaAs quantum wells (QWs) grown on alloy graded InGaAs buffer layers on GaAs by molecular beam epitaxy. The epistructures show quite smooth surfaces with an average surface roughness less than 2 nm. The PL intensity is comparable with those from InAs quantum dots and InGaAs QWs on GaAs, and InGaAsP QWs on InP at similar wavelengths, but stronger than those from GaInNAs QWs (at least 10 times higher at around 1.5-1.6 mu m). The excellent optical quality implies that the metamorphic approach could be a promising alternative to GaInNAs(Sb) QWs for 1.55 mu m lasers on GaAs.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Physics
- Fysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas