onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-43821"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-43821" > Epitaxial La-0.67(S...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Epitaxial La-0.67(Sr,Ca)(0.33)MnO3 films on Si for IR bolometer applications
-
- Grishin, Alexander M. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Khartsev, Sergiy (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Kim, Joo-Hyung (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
- visa fler...
- Lu, J. (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2011-03-17
- 2004
- Engelska.
- Ingår i: Integration Of Advanced Micro-And Nanoelectronic Devices-Critical Issues And Solutions. - : Springer Science and Business Media LLC. - 155899761X ; , s. 405-410
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on processing and properties of La-0.67(Sr,Ca)(0.33)MnO3 (LSCMO) films grown by pulsed laser deposition technique on Si(001) substrates buffered with Bi4Ti3O12/CeO2/YSZ heteroepitaxial layers. X-ray diffraction shows cube-on-cube growth of epitaxial Bi4Ti3O12/CeO2/YSZ/Si heterostructure whereas the LSCMO layer grows in the "diagonal-on-side" manner onto the Bi4Ti3O12 (BTO) template. High resolution TEM images demonstrate sharp interfaces between the buffer layers and LSCMO film as well as rare misfit dislocations on the CeO2/YSZ interface. LSCMO film processing conditions have been optimized to get maximum temperature coefficient of resistivity TCR = 4.4%K-1 and colossal magnetoresistance (CMR) Deltarho/rho similar to 2.9%kOe(-1) @ 294K. Almost ultimate CMR performance at room temperature has been achieved due to successive improvement of c-axis orientation of layers: full widths at half-maximum (FWHM) 0.65, 0.58, 0.65, 1.13 and 0.18 degrees in LSCMO/BTO/CeO2/YSZ/Si stack, respectively. Characterization of electrical noise in CMR film yields noise equivalent temperature difference (NETD) as low as 1.2 muK/rootHz @ 30Hz and 294K.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Integration Of Advanced Micro-And Nanoelectronic Devices-Critical Issues And Sol... (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Grishin, Alexand ...
- Khartsev, Sergiy
- Kim, Joo-Hyung
- Lu, J.
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
- Integration Of A ...
- MRS Proceedings
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
