Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50514" >
Mobility in graphen...
Mobility in graphene double gate field effect transistors
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Echtermeyer, T. J. (författare)
-
Baus, M. (författare)
-
visa fler...
-
Szafranek, B. N. (författare)
-
Bolten, J. (författare)
-
Schmidt, M. (författare)
-
Wahlbrink, T. (författare)
-
Kurz, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 52:4, s. 514-518
- Relaterad länk:
-
http://www.sciencedi...
-
visa fler...
-
https://kth.diva-por... (primary) (Raw object)
-
http://arxiv.org/pdf...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this work, double-gated field effect transistors manufactured from monolayer graphene are investigated. Conventional top-down CMOS-compatible processes are applied except for graphene deposition by manual exfoliation. Carrier mobilities in single- and double-gated graphene field effect transistors are compared. Even in double-gated graphene FETs, the carrier mobility exceeds the universal mobility of silicon over nearly the entire measured range. At comparable dimensions, reported mobilities for ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs cannot compete with graphene FET values. (c) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- graphene
- field effect transistor
- mobility
- SOI
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas