Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50517" >
Subthreshold behavi...
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(författare)
Subthreshold behavior of triple-gate MOSFETs on SOI material
- Artikel/kapitelEngelska2004
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Elsevier BV,2004
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50517
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50517URI
-
https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.09.027DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120222
-
The fabrication of n-type multi-wire MOSFETs on SOI material with triple-gate structures is presented. The output and transfer characteristics of devices with a gate length of 70 nm and a MESA width of 22 nm demonstrate clearly the suppression of short channel effects (SCE). In addition, these triple-gate structures are compared with planar SOI devices of comparable dimensions. The influence of biasing the substrate (back gate) is analyzed and compared to simulation data.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Mollenhauer, T.
(författare)
-
Henschel, W.
(författare)
-
Wahlbrink, T.
(författare)
-
Baus, M.
(författare)
-
Winkler, O.
(författare)
-
Granzner, R.
(författare)
-
Schwierz, F.
(författare)
-
Spangenberg, B.
(författare)
-
Kurz, H.
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Solid-State Electronics: Elsevier BV48:4, s. 529-5340038-11011879-2405
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Mollenhauer, T.
-
Henschel, W.
-
Wahlbrink, T.
-
Baus, M.
-
Winkler, O.
-
visa fler...
-
Granzner, R.
-
Schwierz, F.
-
Spangenberg, B.
-
Kurz, H.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan