Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50528" >
Stability of crysta...
Stability of crystalline Gd(2)O(3) thin films on silicon during rapid thermal annealing
-
Czernohorsky, M. (författare)
-
Tetzlaff, D. (författare)
-
Bugiel, E. (författare)
-
visa fler...
-
Dargis, R. (författare)
-
Osten, H. J. (författare)
-
Gottlob, H. D. B. (författare)
-
Schmidt, M. (författare)
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Kurz, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2008-02-07
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 23:3, s. 035010-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We investigate the impact of rapid thermal anneals on structural and electrical properties of crystalline Gd(2)O(3) layers grown on Si with different orientations. Due to additional oxygen from the annealing ambient, a structureless two-layer stack ( silicon-oxide-like and silicate-like) between the silicon and the crystalline oxide will be formed. The degradation of layers can be significantly reduced by sealing the layer with a-Si prior to annealing. For the capped layers, the effective capacitance equivalent thickness increases only slightly even after a 1000 degrees C anneal.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- ELECTRODES
- MOSFETS
- OXIDES
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Czernohorsky, M.
-
Tetzlaff, D.
-
Bugiel, E.
-
Dargis, R.
-
Osten, H. J.
-
Gottlob, H. D. B ...
-
visa fler...
-
Schmidt, M.
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Kurz, H.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan