Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50537" >
Electrical characte...
Electrical characterization of 12 nm EJ-MOSFETs on SOI substrates
-
Henschel, W (författare)
-
Wahlbrink, T (författare)
-
Georgiev, Y M (författare)
-
visa fler...
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Mollenhauer, T (författare)
-
Vratzov, B (författare)
-
Fuchs, A (författare)
-
Kurz, H (författare)
-
Kittler, M (författare)
-
Schwierz, F (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 48:5, s. 739-745
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A dual gate metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) with electrically variable shallow junctions (EJ-MOSFET) has been fabricated on silicon on insulator (SOI) substrates. This kind of transistor allows testing the limits of scalability at relaxed process requirements. Transistor gate lengths down to 12 run have been structured by electron beam lithography (EBL) and specific etching processes. The coupling of the upper gate to the inner transistor is carefully investigated.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- EJ-MOSFET
- 12 nm gate length
- shallow junction
- SOI
- HSQ
- electron beam lithography
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Henschel, W
-
Wahlbrink, T
-
Georgiev, Y M
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Mollenhauer, T
-
Vratzov, B
-
visa fler...
-
Fuchs, A
-
Kurz, H
-
Kittler, M
-
Schwierz, F
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan