Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50540" >
Supercritical dryin...
Supercritical drying process for high aspect-ratio HSQ nano-structures
-
Wahlbrink, T. (författare)
-
Kupper, D. (författare)
-
Georgiev, Y. M. (författare)
-
visa fler...
-
Bolten, J. (författare)
-
Moller, M. (författare)
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Kurz, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 83:4-9, s. 1124-1127
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Supercritical resist drying allows the fabrication of high aspect-ratio (AR) resist patterns. The potential of this drying technique to increase the maximum achievable AR and the resolution of the overall lithographic process is analyzed for hydrogen silsesquioxane (HSQ). The maximum achievable AR is doubled compared to conventional nitrogen blow drying. Furthermore, the resolution is improved significantly.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- supercritical resist drying
- HSQ
- high-resolution electron beam lithography
- aspect ratio
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas