Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50543" >
Gd silicate :
Gd silicate : A high-k dielectric compatible with high temperature annealing
-
Gottlob, H. D. B. (författare)
-
Stefani, A. (författare)
-
Schmidt, M. (författare)
-
visa fler...
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
- Kurz, H. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
Mitrovic, I. Z. (författare)
-
- Werner, M. (författare)
- University of Liverpool
-
Davey, W. M. (författare)
-
- Hall, S. (författare)
- University of Liverpool
-
- Chalker, P. R. (författare)
- University of Liverpool
-
- Cherkaoui, K. (författare)
- University of Liverpool
-
Hurley, P. K. (författare)
-
- Piscator, Johan, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Engström, Olof, 1943 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Newcomb, S. B. (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Raeissi, Bahman, 1979 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Vacuum Society, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B. - : American Vacuum Society. - 1071-1023 .- 1520-8567 .- 2166-2754 .- 2166-2746. ; 27:1, s. 249-252
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The authors report on the investigation of amorphous Gd-based silicates as high-k dielectrics. Two different stacks of amorphous gadolinium oxide (Gd(2)O(3)) and silicon oxide (SiO(2)) on silicon substrates are compared after annealing at temperatures up to 1000 degrees C. Subsequently formed metal oxide semiconductor capacitors show a significant reduction in the capacitance equivalent thicknesses after annealing. Transmission electron microscopy, medium energy ion scattering, and x-ray diffraction analysis reveal distinct structural changes such as consumption of the SiO(2) layer and formation of amorphous Gd silicate. The controlled formation of Gd silicates in this work indicates a route toward high-k dielectrics compatible with conventional, gate first complementary metal-oxide semiconductor integration schemes.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik -- Övrig annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies -- Other Engineering and Technologies not elsewhere specified (hsv//eng)
Nyckelord
- Annealing; Capacitance; Charge coupled devices; Dielectric materials; Electric conductivity; Gadolinium; Gate dielectrics; Metal analysis; Metallic compounds; MOS devices; Ozone water treatment; Semiconducting silicon; Semiconducting silicon compounds; Semiconductor materials; Silica; Silicates; Silicon compounds; X ray diffraction analysis
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gottlob, H. D. B ...
-
Stefani, A.
-
Schmidt, M.
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Kurz, H.
-
Mitrovic, I. Z.
-
visa fler...
-
Werner, M.
-
Davey, W. M.
-
Hall, S.
-
Chalker, P. R.
-
Cherkaoui, K.
-
Hurley, P. K.
-
Piscator, Johan, ...
-
Engström, Olof, ...
-
Newcomb, S. B.
-
Raeissi, Bahman, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
-
och Övrig annan tekn ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Vacuu ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Chalmers tekniska högskola