Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50546" >
Triple-gate metal-o...
Triple-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated with interference lithography
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Moormann, C. (författare)
-
Lerch, H. (författare)
-
visa fler...
-
Moller, M. (författare)
-
Vratzov, B. (författare)
-
Kurz, H. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004-02-09
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Nanotechnology. - : IOP Publishing. - 0957-4484 .- 1361-6528. ; 15:4, s. S208-S210
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this work, n-type triple-crate metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are presented, where laser interference lithography (LIL) is integrated into a silicon-on-insulator (SOI) CMOS process to provide for the critical definition of the transistor channels. A mix and match process of optical contact lithography and LIL is developed to achieve device relevant structures. The triple-gate MOSFETs are electrically characterized to demonstrate the feasibility of this low cost fabrication process.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas