Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50549" >
Fabrication, charac...
Fabrication, characterization and modeling of strained SOI MOSFETs with very large effective mobility
-
Driussi, F. (författare)
-
Esseni, D. (författare)
-
Selmi, L. (författare)
-
visa fler...
-
Schmidt, M. (författare)
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Kurz, H. (författare)
-
Buca, D. (författare)
-
Mantl, S. (författare)
-
Luysberg, M. (författare)
-
Loo, R. (författare)
-
Nguyen, D. (författare)
-
Reiche, M. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: ESSDERC 2007. - 9781424411238 ; , s. 315-318
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Strained Silicon on insulators (sSOI) wafers with a supercritical thickness of 58 nm were produced using thin strain relaxed SiGe buffer layers, wafer bonding, selective etch back and epitaxial overgrowth. Raman spectroscopy revealed an homogeneous strain of 0.63 +/- 0.03% in the strained Si layer. Long channel n-type SOI-MOSFETs showed very large electron mobilities up to 1200 cm(2)/Vs in the strained Si devices. These values are more than two times larger than those of reference SOI n-MOSFETs. Mobility simulations with state of the art scattering models are then used to interpret the experiments.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Driussi, F.
-
Esseni, D.
-
Selmi, L.
-
Schmidt, M.
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Kurz, H.
-
visa fler...
-
Buca, D.
-
Mantl, S.
-
Luysberg, M.
-
Loo, R.
-
Nguyen, D.
-
Reiche, M.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
ESSDERC 2007
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan