Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50560" >
Subthreshold charac...
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(författare)
Subthreshold characteristics of p-type triple-gate MOSFETs
- Artikel/kapitelEngelska2003
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
NEW YORK :IEEE,2003
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50560
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50560URI
-
https://doi.org/10.1109/ESSDERC.2003.1256826DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20140805
-
The fabrication and characterization of triple-gate p-type metal-oxide semiconductor field effect transistors (p-MOSFETs) on SOI material with multiple channels is described. To demonstrate the beneficial effects of the triple-gate structure on scaling, output and transfer characteristics of 70nm printed gate length p-MOSFETs with 22nm MESA width are presented. The geometrical influence of triple-gate MESA width on subthreshold behavior is investigated in short- and long channel devices. The temperature dependence of subthreshold characteristics is discussed.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Mollenhauer, T
(författare)
-
Hensche, W
(författare)
-
Wahlbrink, T
(författare)
-
Gottlob, H
(författare)
-
Efavi, J
(författare)
-
Baus, M
(författare)
-
Winkler, O
(författare)
-
Spangenberg, B
(författare)
-
Kurz, H
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:ESSDERC 2003NEW YORK : IEEE, s. 123-126
Internetlänk
- Av författaren/redakt...
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Mollenhauer, T
-
Hensche, W
-
Wahlbrink, T
-
Gottlob, H
-
Efavi, J
-
visa fler...
-
Baus, M
-
Winkler, O
-
Spangenberg, B
-
Kurz, H
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- ESSDERC 2003
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan