Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50570" >
Comparative study o...
-
Abermann, S.
(författare)
Comparative study on the impact of TiN and Mo metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-kappa dielectrics for CMOS technology
- Artikel/kapitelEngelska2007
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50570
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50570URI
-
https://doi.org/10.1063/1.2729883DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120228
-
We compare metal oxide semiconductor capacitors, investigating Titanium-Nitride and Molybdenum as gate materials, as well as metal organic chemical vapor deposited ZrO2 and HfO2 as high-kappa dielectrics, respectively. The impact of different annealing steps on the electrical characteristics of the various gate stacks is a further issue. The positive effect of post metallization annealing in forming gas atmosphere as well as observed mid-gap pinning of TiN and Mo metal gates is presented.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Sjoblom, G.
(författare)
-
Efavi, J.
(författare)
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy
(författare)
-
Olsson, J.
(författare)
-
Bertagnolli, E.
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physics of Semiconductors, Pts A and B: AIP, s. 293-2949780735403970
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas