Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-60820" >
Hydrogen passivatio...
-
Achtziger, N
(författare)
Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation
- Artikel/kapitelEngelska1998
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,1998
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-60820
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-60820URI
-
https://doi.org/10.1063/1.122047DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20140805
-
implantation of deuterium is performed to investigate the mobility and passivating effect of hydrogen in epitaxial alpha-SiC (polytypes 4H and 6H). To avoid excessive damage and the resulting trapping of hydrogen, the implantation is performed with low energy (600 eV H-2(2)+). The H-2 depth profile is analyzed by secondary ion mass spectrometry. Electrical properties are measured by capacitance-voltage profiling and admittance spectroscopy. In p-type SIG, hydrogen diffuses on a mu m scale even at room temperature and effectively passivates accepters. In n-type SiC, the incorporation of H is suppressed and no passivation is detected. (C) 1998 American Institute of Physics.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Grillenberger, J
(författare)
-
Witthuhn, W
(författare)
-
Linnarsson, M KKTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)(Swepub:kth)u1x6y4ru
(författare)
-
Janson, M S
(författare)
-
Svensson, B G
(författare)
-
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing73, s. 945-9470003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas