Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-60823" >
Observation of near...
Observation of near-surface electrically active defects in n-type 6H-SiC
-
Doyle, J P (författare)
-
Schoner, A (författare)
-
Nordell, N (författare)
-
visa fler...
-
Galeckas, A (författare)
-
Bleichner, H (författare)
-
- Linnarsson, M K (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
Linnros, J (författare)
-
Svensson, B G (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 1998
- 1998
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 83, s. 3649-3651
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In n-type 6H-SiC epitaxial layers grown by vapor phase epitaxy, we find that in contrast to the majority of the epitaxial layer, where electrically active defects are observed with a concentration less than 1 X 10(-13) cm(-3), a region near the front surface contains defects with concentrations approaching 10(14) cm(-3). A relationship between the near-surface defects and metallic impurities is suggested by a Ti concentration of 1 X 10(16) cm(-3) in this region. The high concentration of near surface defects is found to significantly reduce the carrier lifetime. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0021-8979(98)03007-2].
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas