Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-63021" >
Aluminum doping of ...
Aluminum doping of epitaxial silicon carbide grown by hot-wall CVD; Effect of process parameters
-
Forsberg, U (författare)
-
Danielsson, O (författare)
-
Henry, A (författare)
-
visa fler...
-
- Linnarsson, M K (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
Janzen, E (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS. ; , s. 203-206
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Intentional p-type doping of SiC has been performed by using trimethylaluminum as dopant source. A comprehensive investigation of the aluminum incorporation dependency on temperature, pressure, C/Si ratio and growth rate in a horizontal hot-wall CVD reactor has been made. The incorporation mechanism for 4H and 6H-SiC both for Si- and C-face material is presented.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- aluminum; CVD; doping; hot-wall; thermodynamical calculations
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)