Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7954" >
Performance fluctua...
Performance fluctuation of FinFETs with Schottky barrier source/drain
-
- Zhang, Zhen (författare)
- Uppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik
-
- Lu, Jun (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Qiu, Zhijun (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 29:5, s. 506-508
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A considerable performance fluctuation of FinFETs featuring PtSi-based Schottky barrier source/drain is found. The Fin-channels measure 27-nm tall and 35-nm wide. Investigation of similarly processed transistors of broad gate-widths reveals a large variation in the position of the PtSi/Si interface with reference to the gate edge along the gate width. This variation suggests an uneven underlap between the PtSi and the gate from device to device for the FinFETs, since essentially only one silicide grain would be in contact with each Fin-channel at the PtSi/Si interface. The size of the underlap is expected to sensitively affect the performance of the FinFETs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- FinFETs
- gate underlap
- MOSFETs
- platinum silicide PtSi
- Schottky barrier source/drain (SB-S/D)
- transmission electron microscopy (TEM)
- Electronics
- Elektronik
- TECHNOLOGY
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas