Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-83796" >
On the role of Coul...
-
Thomas, S. M.
(författare)
On the role of Coulomb scattering in hafnium-silicate gated silicon n and p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors
- Artikel/kapitelEngelska2011
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,2011
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-83796
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-83796URI
-
https://doi.org/10.1063/1.3669490DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120214
-
In this work, the impact of the local and remote Coulomb scattering mechanisms on electron and hole mobility are investigated. The effective mobilities in quasi-planar finFETs with TiN/Hf(0.4)Si(0.6)O/SiO(2) gate stacks have been measured at 300 K and 4 K. At 300 K, electron mobility is degraded below that of bulk MOSFETs in the literature, whereas hole mobility is comparable. The 4 K electron and hole mobilities have been modeled in terms of ionized impurity, local Coulomb, remote Coulomb and local roughness scattering. An existing model for remote Coulomb scattering from a polycrystalline silicon gate has been adapted to model remote Coulomb scattering from a high-kappa/SiO(2) gate stack. Subsequently, remote charge densities of 8 x 10(12) cm(-2) at the Hf(0.4)Si(0.6)O/SiO(2) interface were extracted and shown to be the dominant Coulomb scattering mechanism for both electron and hole mobilities at 4 K. Finally, a Monte Carlo simulation showed remote Coulomb scattering was responsible for the degraded 300 K electron mobility.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Prest, M. J.
(författare)
-
Whall, T. E.
(författare)
-
Leadley, D. R.
(författare)
-
Toniutti, P.
(författare)
-
Conzatti, F.
(författare)
-
Esseni, D.
(författare)
-
Donetti, L.
(författare)
-
Gamiz, F.
(författare)
-
Lander, R. J. P.
(författare)
-
Vellianitis, G.
(författare)
-
Hellström, Per-ErikKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wc1lgb
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
KTHIntegrerade komponenter och kretsar
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing110:12, s. 124503-0021-89791089-7550
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Thomas, S. M.
-
Prest, M. J.
-
Whall, T. E.
-
Leadley, D. R.
-
Toniutti, P.
-
Conzatti, F.
-
visa fler...
-
Esseni, D.
-
Donetti, L.
-
Gamiz, F.
-
Lander, R. J. P.
-
Vellianitis, G.
-
Hellström, Per-E ...
-
Östling, Mikael
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Appli ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan