Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84807" >
ELECTRONIC-PROPERTI...
ELECTRONIC-PROPERTIES OF CLEAVED(110) AND MBE-GROWN(100) INAS SURFACES, CLEAN AND COVERED WITH AN ULTRA-THIN AG ADLAYER
-
LELAY, G (författare)
-
ARISTOV, VY (författare)
-
KANSKI, J (författare)
-
visa fler...
-
NILSSON, PO (författare)
-
- KARLSSON, Ulf O (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Materialfysik
-
HRICOVINI, K (författare)
-
BONNET, JE (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1993
- 1993
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Surface Science. - 0169-4332 .- 1873-5584. ; 70-1, s. 502-506
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The initial electronic structure of the pseudomorphic InAs/GaAs(100) heterostructure as well as that of the Ag/InAs(110) interface at 20 K have been studied by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy. In the first case we find that the valence band spectra show no evidence for the formation of bulk-like energy bands. In the second case we prove for the first time that upon deposition of minute amounts of Ag at low temperature onto cleaved InAs(110) substrates one induces a giant movement of the Fermi level well into the conduction band thus creating a strong two-dimensional electron channel at the surface.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas