Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-85415" >
Plasma chemistries ...
Plasma chemistries for high density plasma etching of SiC
-
Hong, J. (författare)
-
Shul, R. J. (författare)
-
Zhang, L. (författare)
-
visa fler...
-
Lester, L. F. (författare)
-
Cho, H. (författare)
-
Hahn, Y. B. (författare)
-
Hays, D. C. (författare)
-
Jung, K. B. (författare)
-
Pearton, S. J. (författare)
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Charlottesville, VA, USA, 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Electronic Materials. - Charlottesville, VA, USA. - 0361-5235 .- 1543-186X. ; 28:3, s. 196-201
- Relaterad länk:
-
http://www.scopus.co...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A variety of different plasma chemistries, including SF6, Cl2, ICI, and IBr, have been examined for dry etching of 6H-SiC in high ion density plasma tools (inductively coupled plasma and electron cyclotron resonance). Rates up to 4500 angstroms·min-1 were obtained for SF6 plasmas, while much lower rates (≀800 angstroms·min-1) were achieved with Cl2, ICI, and IBr. The F2-based chemistries have poor selectivity for SiC over photoresist masks (typically 0.4-0.5), but Ni masks are more robust, and allow etch depths ≥10 Όm in the SiC. A micromachining process (sequential etch/deposition steps) designed for Si produces relatively low etch rates (<2,000 angstroms·min-1) for SiC.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Chlorine
- Electron cyclotron resonance
- Fluorine compounds
- Iodine compounds
- Masks
- Micromachining
- Photoresists
- Plasma density
- Plasma etching
- Silicon carbide
- Inductively coupled plasma
- Plasma chemistry
- Sulfur hexafluoride
- Semiconducting silicon compounds
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hong, J.
-
Shul, R. J.
-
Zhang, L.
-
Lester, L. F.
-
Cho, H.
-
Hahn, Y. B.
-
visa fler...
-
Hays, D. C.
-
Jung, K. B.
-
Pearton, S. J.
-
Zetterling, Carl ...
-
Östling, Mikael
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Elect ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan