Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-89313" >
High-performance 1....
High-performance 1.2- mu;m highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers
-
- Mogg, Sebastian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
Plaine, G. (författare)
-
Asplund, C. (författare)
-
visa fler...
-
Sundgren, P. (författare)
-
Baskar, K. (författare)
-
Mulot, M. (författare)
-
- Schatz, Richard, 1963- (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT,Photonics
-
- Hammar, Mattias (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th. ; , s. 107-110
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The growth and characterisation of high-performance 1.2- mu;m highly strained InGaAs/GaAs single quantum well (SQW) laser diodes is reported. High output power in excess of 200 mW per facet was obtained from ridge-waveguide (RWG) lasers at an emission wavelength of 1230 nm. These lasers operate CW to at least 145 deg;C and show a high characteristic temperature of 150 K. The net modal gain was measured using the method described by Hakki and Paoli (1975).
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
Nyckelord
- 1.2 micron; 1230 nm; 145 degC; 150 K; 200 mW; CW operation; InGaAs-GaAs; VPE growth; characterisation; high characteristic temperature; high output power; high-performance SQW LDs; highly strained InGaAs/GaAs SQW; low-pressure MOVPE; net modal gain measurement; ridge-waveguide lasers; single quantum well laser diodes; III-V semiconductors; MOCVD; gallium arsenide; indium compounds; laser transitions; optical fabrication; quantum well lasers; ridge waveguides; semiconductor growth; vapour phase epitaxial growth; waveguide lasers
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)