Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-117133" >
Room-Temperature mo...
Room-Temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure
-
- Chen, Jr-Tai (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Persson, Ingemar (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Nilsson, Daniel (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Hsu, Chih-Wei (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Palisaitis, Justinas (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Forsberg, Urban (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics (AIP). - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 106:25
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A high mobility of 2250 cm2/V·s of a two-dimensional electron gas (2DEG) in a metalorganic chemical vapor deposition-grown AlGaN/GaN heterostructure was demonstrated. The mobility enhancement was a result of better electron confinement due to a sharp AlGaN/GaN interface, as confirmed by scanning transmission electron microscopy analysis, not owing to the formation of a traditional thin AlN exclusion layer. Moreover, we found that the electron mobility in the sharp-interface heterostructures can sustain above 2000 cm2/V·s for a wide range of 2DEG densities. Finally, it is promising that the sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure would enable low contact resistance fabrication, less impurity-related scattering, and trapping than the AlGaN/AlN/GaN heterostructure, as the high-impurity-contained AlN is removed.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas