Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-117253" >
Structural properti...
Structural properties and dielectric function of graphene grown by high-temperature sublimation on 4H-SiC(000-1)
-
- Bouhafs, Chamseddine (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Persson, Ingemar (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Tiberj, A. (författare)
- University of Montpellier 2, France
-
- Persson, Per O A (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Paillet, M. (författare)
- University of Montpellier 2, France
-
- Zahab, A. -A. (författare)
- University of Montpellier 2, France
-
- Landois, P. (författare)
- University of Montpellier 2, France
-
- Juillaguet, S. (författare)
- University of Montpellier 2, France
-
- Schoeche, S. (författare)
- University of Nebraska, NE 68588 USA; University of Nebraska, NE 68588 USA
-
- Schubert, M. (författare)
- University of Nebraska, NE 68588 USA; University of Nebraska, NE 68588 USA
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : American Institute of Physics (AIP). - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 117:8, s. 085701-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Understanding and controlling growth of graphene on the carbon face (C-face) of SiC presents a significant challenge. In this work, we study the structural, vibrational, and dielectric function properties of graphene grown on the C-face of 4H-SiC by high-temperature sublimation in an argon atmosphere. The effect of growth temperature on the graphene number of layers and crystallite size is investigated and discussed in relation to graphene coverage and thickness homogeneity. An amorphous carbon layer at the interface between SiC and the graphene is identified, and its evolution with growth temperature is established. Atomic force microscopy, micro-Raman scattering spectroscopy, spectroscopic ellipsometry, and high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy are combined to determine and correlate thickness, stacking order, dielectric function, and interface properties of graphene. The role of surface defects and growth temperature on the graphene growth mechanism and stacking is discussed, and a conclusion about the critical factors to achieve decoupled graphene layers is drawn. (C) 2015 AIP Publishing LLC.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Bouhafs, Chamsed ...
-
Darakchieva, Van ...
-
Persson, Ingemar
-
Tiberj, A.
-
Persson, Per O A
-
Paillet, M.
-
visa fler...
-
Zahab, A. -A.
-
Landois, P.
-
Juillaguet, S.
-
Schoeche, S.
-
Schubert, M.
-
Yakimova, Rosits ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Appli ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet