Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-118525" >
Single Domain 3C-Si...
Single Domain 3C-SiC Growth on Off-Oriented 4H-SiC Substrates
-
- Jokubavicius, Valdas (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Yazdi, Gholam Reza (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Liljedahl, Rickard (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
visa fler...
-
- Ivanov, Ivan Gueorguiev (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Sun, Jianwu (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Liu, Xinyu (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Philipp, Schuh (författare)
- University of Erlangen, Erlangen, Germany
-
- Wilhelm, Martin (författare)
- University of Erlangen, Erlangen, Germany
-
- Wellmann, Peter (författare)
- University of Erlangen, Erlangen, Germany
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2015-05-20
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Crystal Growth & Design. - : American Chemical Society (ACS). - 1528-7483 .- 1528-7505. ; 15:6, s. 2940-2947
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We investigated the formation of structural defects in thick (∼1 mm) cubic silicon carbide (3C-SiC) layers grown on off-oriented 4H-SiC substrates via a lateral enlargement mechanism using different growth conditions. A two-step growth process based on this technique was developed, which provides a trade-off between the growth rate and the number of defects in the 3C-SiC layers. Moreover, we demonstrated that the two-step growth process combined with a geometrically controlled lateral enlargement mechanism allows the formation of a single 3C-SiC domain which enlarges and completely covers the substrate surface. High crystalline quality of the grown 3C-SiC layers is confirmed using high resolution X-ray diffraction and low temperature photoluminescence measurements.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Jokubavicius, Va ...
-
Yazdi, Gholam Re ...
-
Liljedahl, Ricka ...
-
Ivanov, Ivan Gue ...
-
Sun, Jianwu
-
Liu, Xinyu
-
visa fler...
-
Philipp, Schuh
-
Wilhelm, Martin
-
Wellmann, Peter
-
Yakimova, Rosits ...
-
Syväjärvi, Mikae ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
- Artiklar i publikationen
-
Crystal Growth & ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet