Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-123529" >
GaN heterostructure...
GaN heterostructures with diamond and graphene
-
- Pecz, B. (författare)
- Hungarian Academic Science, Hungary
-
- Toth, L. (författare)
- Hungarian Academic Science, Hungary
-
- Tsiakatouras, G. (författare)
- University of Crete, Greece; University of Crete, Greece
-
visa fler...
-
- Adikimenakis, A. (författare)
- University of Crete, Greece
-
- Kovacs, A. (författare)
- Forschungszentrum Julich, Germany
-
- Duchamp, M. (författare)
- Forschungszentrum Julich, Germany
-
- Dunin-Borkowski, R. E. (författare)
- Forschungszentrum Julich, Germany
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Neumann, P. L. (författare)
- Hungarian Academic Science, Hungary
-
- Behmenburg, H. (författare)
- AIXTRON SE, Germany
-
- Foltynski, B. (författare)
- AIXTRON SE, Germany
-
- Giesen, C. (författare)
- AIXTRON SE, Germany
-
- Heuken, M. (författare)
- AIXTRON SE, Germany
-
- Georgakilas, A. (författare)
- University of Crete, Greece; University of Crete, Greece
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2015-10-15
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP PUBLISHING LTD. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 30:11, s. 114001-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The full performance of GaN devices for high power applications is not exploited due to their self-heating. Possible solutions are the integration of materials with high heat conductivity i.e., single crystalline diamond and graphene layers. We report the growth of single crystalline (0001)-oriented GaN thin films on (100), (110) and (111) diamond single crystals studied by transmission electron microscopy (TEM) in cross-sections. As for graphene, we show a high quality GaN layer that was deposited on patterned graphene layers and 6H-SiC. The atomic structures of the interfaces in the heterostructure are studied using aberration-corrected scanning TEM combined with energy dispersive x-ray and electron energy-loss spectroscopy.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- GaN; graphene; diamond; electron microscopy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Pecz, B.
-
Toth, L.
-
Tsiakatouras, G.
-
Adikimenakis, A.
-
Kovacs, A.
-
Duchamp, M.
-
visa fler...
-
Dunin-Borkowski, ...
-
Yakimova, Rosits ...
-
Neumann, P. L.
-
Behmenburg, H.
-
Foltynski, B.
-
Giesen, C.
-
Heuken, M.
-
Georgakilas, A.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet