Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128854" >
Influence of Post-G...
Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers
-
- Marinova, Maya (författare)
- Thessaloniki , Greece
-
- Andreadou, A. (författare)
- Thessaloniki , Greece
-
- Sun, JianWu (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074‐GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
visa fler...
-
- Lorenzzi, J. (författare)
- Villeurbanne; France
-
- Mantzari, A. (författare)
- Thessaloniki , Greece
-
- Zoulis, Georgios (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074‐GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Jegenyes, Nikoletta (författare)
- Villeurbanne; France
-
- Juillaguet, Sandrine (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074‐GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Soulière, Veronique (författare)
- Villeurbanne; France
-
- Ferro, G. (författare)
- Villeurbanne; France
-
- Camassel, Jean (författare)
- Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074‐GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
- Polychroniadis, Efstathios K. (författare)
- Thessaloniki , Greece
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2010. ; , s. 241-244
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The current communication focuses on the influence of a post-growth annealing on the evolution of defects inside (111) 3C-SiC layers grown by the Vapour Liquid Solid (VLS) mechanism in SiGe melts on Si-face on- and off axis 6H-SiC substrates. The layers are studied by Transmission Electron Microscopy (TEM) and Low Temperature Photoluminescence (LTPL). It was found that the growth on off-axis substrates results in a 3C-SiC layer containing mainly stacking faults (SFs) and microtwins (MT). The density of MT lamellae and SFs reduces in the layers grown on the on-axis substrate compared to off-axis substrate. In the layers grown on off-axis substrates the annealing strongly reduces the density of SFs inclined to the 3C/6H-SiC interface. Additionally, 3C to 6H polytypic transformation appears only at the interface, most probably starting from substrate step edges. This was only seen on off-axis seed since the step edges are more.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- 3C-SiC
- LTPL
- Post-Growth Annealing
- VLS
- TEM
- Defect
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Marinova, Maya
-
Andreadou, A.
-
Sun, JianWu
-
Lorenzzi, J.
-
Mantzari, A.
-
Zoulis, Georgios
-
visa fler...
-
Jegenyes, Nikole ...
-
Juillaguet, Sand ...
-
Soulière, Veroni ...
-
Ferro, G.
-
Camassel, Jean
-
Polychroniadis, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Silicon Carbide ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet