Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-130141" >
Comments on a peak ...
Comments on a peak of AlxGa1-xN observed by infrared reflectance
-
- Marx, G. (författare)
- NMMU, South Africa
-
- Engelbrecht, J. A. A. (författare)
- NMMU, South Africa
-
- Lee, M. E. (författare)
- NMMU, South Africa
-
visa fler...
-
- Wagener, M. C. (författare)
- NMMU, South Africa
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELSEVIER SCIENCE BV, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: Infrared physics & technology. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 1350-4495 .- 1879-0275. ; 76, s. 493-499
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- AlxGa1-xN epilayers, grown on c-plane oriented sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD), were evaluated using FTIR infrared reflectance spectroscopy. A peak at similar to 850 cm(-1) in the reflectance spectra, not reported before, was observed. Possible origins for this peak are considered and discussed. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- AlxGa1-xN; Infrared reflectance; Unassigned peak origin
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas