Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-137446" >
Matching precursor ...
-
Stenberg, Pontus,1984-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
(författare)
Matching precursor kinetics to afford a more robust CVD chemistry: a case study of the C chemistry for silicon carbide using SiF4 as Si precursor
- Artikel/kapitelEngelska2017
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
2017
-
Royal Society of Chemistry,2017
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-137446
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-137446URI
-
https://doi.org/10.1039/c7tc00138jDOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Funding agencies: Knut & Alice Wallenberg Foundation (KAW) project Isotopic Control for Ultimate Material Properties; Swedish Foundation for Strategic Research project SiC - the Material for Energy-Saving Power Electronics [EM11-0034]; Swedish Government Strategic Research
-
Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the technology platforms forming the backbone of the semiconductor industry and is vital in the production of electronic devices. To upscale a CVD process from the lab to the fab, large area uniformity and high run-to-run reproducibility are needed. We show by a combination of experiments and gas phase kinetics modeling that the combinations of Si and C precursors with the most well-matched gas phase chemistry kinetics gives the largest area of of homoepitaxial growth of SiC. Comparing CH4, C2H4 and C3H8 as carbon precursors to the SiF4 silicon precursor, CH4 with the slowest kinetics renders the most robust CVD chemistry with large area epitaxial growth and low temperature sensitivity. We further show by quantum chemical modeling how the surface chemistry is impeded by the presence of F in the system which limits the amount of available surface sites for the C to adsorb.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Danielsson, Örjan,1973-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)orjda90
(författare)
-
Erdtman, Edvin,1981-Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)edver36
(författare)
-
Sukkaew, Pitsiri,1985-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)pitsu69
(författare)
-
Ojamäe, Lars,1964-Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)laroj29
(författare)
-
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)erija14
(författare)
-
Pedersen, Henrik,1981-Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)henpe50
(författare)
-
Linköpings universitetHalvledarmaterial
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Materials Chemistry C: Royal Society of Chemistry5, s. 5818-58232050-75262050-7534
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Stenberg, Pontus ...
-
Danielsson, Örja ...
-
Erdtman, Edvin, ...
-
Sukkaew, Pitsiri ...
-
Ojamäe, Lars, 19 ...
-
Janzén, Erik, 19 ...
-
visa fler...
-
Pedersen, Henrik ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Mater ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet