Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-14472" >
Magnetron sputterin...
Magnetron sputtering of Ti3SiC2 thin films from a Ti3SiC2 compound target
-
- Eklund, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Beckers, Manfred (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Frodelius, Jenny (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Högberg, Hans (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Vacuum Society, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - : American Vacuum Society. - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 25:5, s. 1381-1388
- Relaterad länk:
-
http://urn.kb.se/res...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Ti3 Si C2 thin films were synthesized by magnetron sputtering from Ti3 Si C2 and Ti targets. Sputtering from a Ti3 Si C2 target alone resulted in films with a C content of ∼50 at. % or more, due to gas-phase scattering processes and differences in angular and energy distributions between species ejected from the target. Addition of Ti to the deposition flux from a Ti3 Si C2 target is shown to bind the excess C in Ti Cx intergrown with Ti3 Si C2 and Ti4 Si C3. Additionally, a substoichiometric Ti Cx buffer layer is shown to serve as a C sink and enable the growth of Ti3 Si C2.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas