Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-14802" >
Fast epitaxy by PVT...
Fast epitaxy by PVT of SiC in hydrogen atmosphere
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Ciechonski, Rafal R. (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Yazdi, Gholamreza R., 1966- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 275:1-2, s. e1103-e1107
- Relaterad länk:
-
http://urn.kb.se/res...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Epitaxial growth in hydrogen atmosphere has been studied in relation to sublimation epitaxial growth. A new type of features with a hexagonal shape are observed in the layers grown in hydrogen atmosphere. The morphological details of the features have been studied with optical microscopy and atomic force microscopy. An interactive relation of the defect appearance with the step flow growth mode seems to be present. The results are compared with growth in vacuum, argon, and helium conditions. The possible influence of thermal component to a reactive one in hydrogen etching is discussed.
Ämnesord
- MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP -- Medicinska och farmaceutiska grundvetenskaper -- Andra medicinska och farmaceutiska grundvetenskaper (hsv//swe)
- MEDICAL AND HEALTH SCIENCES -- Basic Medicine -- Other Basic Medicine (hsv//eng)
Nyckelord
- A1. Defects
- A1. Nucleation
- A3. Physical vapor deposition processes
- Chemistry
- Kemi
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas