Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-16630" >
Free electron behav...
Free electron behavior in InN : On the role of dislocations and surface electron accumulation
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Hofmann, T (författare)
- University of Nebraska
-
- Schubert, M (författare)
- University of Nebraska
-
visa fler...
-
- Sernelius, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska högskolan
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Giuliani, Finn (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Alves, E (författare)
- Sacavem, Portugal
-
- Lu, H (författare)
- Cornell University
-
- Schaff, W J (författare)
- Cornell University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 94:2, s. 022109-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://digitalcommon...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The free electron behavior in InN is studied on the basis of decoupled bulk and surface accumulation electron densities in InN films measured by contactless optical Hall effect. It is shown that the variation in the bulk electron density with film thickness does not follow the models of free electrons generated by dislocation-associated nitrogen vacancies. This finding, further supported by transmission electron microscopy results, indicates the existence of a different thickness-dependent doping mechanism. Furthermore, we observe a noticeable dependence of the surface electron density on the bulk density, which can be exploited for tuning the surface charge in future InN based devices.
Nyckelord
- dislocations
- doping
- electron density
- Hall effect
- III-V semiconductors
- indium compounds
- semiconductor thin films
- transmission electron microscopy
- vacancies (crystal)
- wide band gap semiconductors
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Darakchieva, Van ...
-
Hofmann, T
-
Schubert, M
-
Sernelius, Bo
-
Monemar, Bo
-
Persson, Per
-
visa fler...
-
Giuliani, Finn
-
Alves, E
-
Lu, H
-
Schaff, W J
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet