Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-197990" >
HiPIMS-grown AlN bu...
HiPIMS-grown AlN buffer for threading dislocation reduction in DC-magnetron sputtered GaN epifilm on sapphire substrate
-
- Chang, Jui-Che (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Tseng, Eric Nestor, Postdoktor (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Lo, Yi-Ling (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
visa fler...
-
- Nayak, Sanjay Kumar (författare)
- Linköpings universitet,Nanostrukturerade material,Tekniska fakulteten
-
- Lundin, Daniel, 1980- (författare)
- Linköpings universitet,Plasma och ytbeläggningsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Persson, Per O. Å., 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Horng, Ray-Hua (författare)
- National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan
-
- Hultman, Lars, Professor, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Birch, Jens, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Hsiao, Ching-Lien, 1975- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 2023
- 2023
- Engelska.
-
Ingår i: Vacuum. - : PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD. - 0042-207X .- 1879-2715. ; 217
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Gallium nitride (GaN) epitaxial films on sapphire (Al2O3) substrates have been grown using reactive magnetron sputter epitaxy with a liquid Ga target. Threading dislocations density (TDD) of sputtered GaN films was reduced by using an inserted high-quality aluminum nitride (AlN) buffer layer grown by reactive high power impulse magnetron sputtering (R-HiPIMS) in a gas mixture of Ar and N2. After optimizing the Ar/N2 pressure ratio and deposition power, a high-quality AlN film exhibiting a narrow full-width at half-maximum (FWHM) value of the double-crystal x-ray rocking curve (DCXRC) of the AlN(0002) peak of 0.086° was obtained by R-HiPIMS. The mechanism giving rise the observed quality improvement is attributed to the enhancement of kinetic energy of the adatoms in the deposition process when operated in a transition mode. With the inserted HiPIMS-AlN as a buffer layer for direct current magnetron sputtering (DCMS) GaN growth, the FWHM values of GaN(0002) and (10 1‾ 1) XRC decrease from 0.321° to 0.087° and from 0.596° to 0.562°, compared to the direct growth of GaN on sapphire, respectively. An order of magnitude reduction from 2.7 × 109 cm−2 to 2.0 × 108 cm−2 of screw-type TDD calculated from the FWHM of the XRC data using the inserted HiPIMS-AlN buffer layer demonstrates the improvement of crystal quality of GaN. The result of TDD reduction using the HiPIMS-AlN buffer was also verified by weak beam dark-field (WBDF) cross-sectional transmission electron microscopy (TEM).
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- GaN; Magnetron sputtering; HiPIMS; Dislocations; XRCTEM
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
-
Vacuum
(Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Chang, Jui-Che
-
Tseng, Eric Nest ...
-
Lo, Yi-Ling
-
Nayak, Sanjay Ku ...
-
Lundin, Daniel, ...
-
Persson, Per O. ...
-
visa fler...
-
Horng, Ray-Hua
-
Hultman, Lars, P ...
-
Birch, Jens, 196 ...
-
Hsiao, Ching-Lie ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Vacuum
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet