Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-20221" >
ScAlN nanowires :
ScAlN nanowires : A cathodoluminescence study
-
- Bohnen, T. (författare)
- Radboud University Nijmegen
-
- Yazdi, Gholamreza (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- van Dreumel, G W G (författare)
- Radboud University Nijmegen
-
- Hageman, P R (författare)
- Radboud University Nijmegen
-
- Vlieg, E. (författare)
- Radboud University Nijmegen
-
- Algra, R E (författare)
- Radboud University Nijmegen
-
- Verheijen, M A (författare)
- Philips Res Labs
-
- Edgar, J H (författare)
- Kansas State University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; 311:11, s. 3147-3151
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Wurtzite ScAlN nanowires, grown on a scandium nitride (ScN) thin film by hydride vapor phase epitaxy (HVPE), were analyzed by energy dispersive analysis of X-rays (EDX), CL, high resolution transmission electron spectroscopy (HRTEM), and scanning electron microscopy (SEM). The wires were grown along the [0 0 0 1] axis, had an average length of 1 mu m, a diameter between 50 and 150 run, and a ScAlN composition with a 95:5 Al:Sc ratio. Cathodoluminescence studies on the individual wires showed a sharp emission near 2.4 eV, originating from the Sc atoms in the aluminum nitride (AlN) matrix. The formation of such a semiconducting ScAlN alloy could present a new alternative to InAlN for optoelectronic applications operating in the 200-550 nm range.
Nyckelord
- Nanostructures; Hydride vapor phase epitaxy; Nitrides; Semiconducting aluminum compounds
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas