Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-20864" >
High Power, Single ...
High Power, Single Stage SiGaN HEMT Class EPower Amplifier at GHz Frequencies
-
- Azam, Sher, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Jonsson, Rolf (författare)
- Swedish Defense Research Agency (FOI), Box 1165, SE-581 11 Linkoping, Sweden
-
- Fritzin, Jonas (författare)
- Linköpings universitet,Elektroniska komponenter,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Alvandpour, Atila (författare)
- Linköpings universitet,Elektroniska komponenter,Tekniska högskolan
-
- Wahab, Qamar (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
http://urn.kb.se/res...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A high power single stage class E power amplifier is implemented with lumped elements at 0.89-1.02GHz using Silicon GaN High Electron Mobility Transistor as an active device. The maximum drain efficiency (DE) and power added efficiency (PAE) of 67 and 65 % respectively is obtained with a maximum output power of 42.2 dBm (~ 17 W) and amaximum power gain of 15 dB. We obtained good results at all measured frequencies.
Nyckelord
- Class E
- PAE
- Power Amplifiers
- Gallium Nitride
- HEMT
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- ovr (ämneskategori)