Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-28436" >
Epitaxial Ti2GeC, T...
Epitaxial Ti2GeC, Ti3GeC2, and Ti4GeC3 MAX-phase thin films grown by magnetron sputtering
-
- Högberg, Hans, 1968- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Eklund, Per, 1977- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Emmerlich, Jens, 1974- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
visa fler...
-
- Birch, Jens, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Materials Research. - 0884-2914 .- 2044-5326. ; 20:4, s. 779-782
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have grown single-crystal thin films of Ti2GeC and Ti3GeC2 and a new phase Ti4GeC3, as well as two new intergrown MAX-structures, Ti5Ge2C3 and Ti7Ge2C5. Epitaxial films were grown on Al2O3(0001) substrates at 1000 °C using direct current magnetron sputtering. X-ray diffraction shows that Ti–Ge–C MAX-phases require higher deposition temperatures in a narrower window than their Ti–Si–C correspondences do, while there are similarities in phase distribution. Nanoindentation reveals a Young’s modulus of 300 GPa, lower than that of Ti3SiC2. Four-point probe measurements yield resistivity values of 50–200 μΩcm. The lowest value is obtained for phase-pure Ti3GeC2(0001) films.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Högberg, Hans, 1 ...
-
Eklund, Per, 197 ...
-
Emmerlich, Jens, ...
-
Birch, Jens, 196 ...
-
Hultman, Lars, 1 ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Mater ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet